Fen Bilimleri Enstitüsü / Institute of Science

Permanent URI for this communityhttps://hdl.handle.net/11452/16

Browse

Browsing by Subject "(Au) elektrik ve optik özellikleri"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Si üzerinde oluşturulan metal ince filmin (Au) elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
    (Uludağ Üniversitesi, 2003-07-30) Yücel, Ersin; Bektöre, Yüksel; Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
    Bu çalışmada n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotu, vakum buharlaştırma yöntemiyle iki aşamada hazırlanmıştır ve elektriksel özellikleri incelenerek, Schottky bariyerdeki baskın akım geçişinin hangi yolla olduğu belirlenmiştir. Aynı zamanda n- tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun elektriksel özellikleri ve optik özellikleri incelenerek bariyer yüksekliği üç farklı yöntemle belirlenmiştir. n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotunun oluşturulmasındaki ilk aşama ohmik kontak oluşturulması sürecidir. Bu süreçte, n-tipi Si' un arka yüzeyine yaklaşık 30 dakika süre ile AuSb vakum buharlaştırma yöntemiyle kaplanmıştır. İkinci aşama n-tipi Si' un ön yüzüne Au ince film kaplanmasıdır. Bu işlemde yaklaşık 25 dakika süre ile vakum buharlaştırma yöntemiyle yapılmıştır. Böylece n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotu elde edilmiştir. Oluşturulan n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun elektriksel özelliklerinde, akım- gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri incelenmiştir. Akım-gerilim karakteristiklerinde ln(I)' mn V ye göre grafiği çizilerek n ideal faktörün 1' e çok yakın bir değer olduğu bulunmuştur. Bu sonuç bize n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun ideale yakın olduğunu ve akım geçişinde termoiyonik yayılmanın baskın olduğunu göstermiştir. Kapasitans-gerilim karakteristiklerinde l/C2' nin V ye göre grafiği çizilerek tükenim bölgesindeki donor konsantrasyonu Nd hesaplanmıştır. Son olarak I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen grafiklerden n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun bariyer yüksekliği hesaplanmıştır. n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun optik özelliklerinde ise (Y.hy)1/2' nin hy' ye göre grafiği çizilerek bariyer yüksekliği belirlenmiştir. Deneysel olarak üç farklı yöntemle hesapladığımız bariyer yüksekliklerinin teorik sonuçlar ile çok yakın değerlerde olduğu görülmüştür.