A DC~1.6 GHz distributed amplifier with GaAs MESFETs

Yükleniyor...
Küçük Resim

Tarih

2016-08-31

Kurum Yazarları

Hiçdurmaz, Bahadır
Özzaim, Cengiz

Süreli Yayın başlığı

Süreli Yayın ISSN

Cilt Başlığı

Yayınevi

Uludağ Üniversitesi

Özet

In this study, a DC ~ 1.6 GHz bandwidth distributed amplifier (DA) is fabricated in printed circuit board (PCB). The scattering (S-) parameters of the distributed amplifier are measured and compared with simulated results. In characterization of the amplifier, small-signal microwave Sparameters given at some discrete frequencies of transistors are utilized. According to obtained results, it is observed that measured and simulated results are in relatively good agreement.
Bu çalışmada, DC ~ 1.6 GHz bant genişliğine sahip bir dağılmış parametreli kuvvetlendirici (DA) baskı devre kartında gerçeklenmiştir. Dağılmış parametreli kuvvetlendiricinin performans parametreleri olan saçınım (S-) parametreleri ölçülmüş ve sonuçlar benzetim sonuçlarıyla kıyaslanmıştır. Yükselticinin karakterizasyonunda, devrenin aktif elemanları olan transistörlerin bazı frekanslarda verilmiş küçük-işaret mikrodalga S-parametreleri ve pasif elemanların değerleri kullanılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre, ölçülen ve benzetilen sonuçlar nispeten uyumludur.

Açıklama

Anahtar kelimeler

Distributed amplifier, Broadband, S-parameters, PCB fabrication, Dağılmış parametreli kuvvetlendirici, Genişbant, S-parametreleri, PCB gerçekleme

Alıntı

Hiçdurmaz, B. ve Özzaim, C. (2016). "A DC~1.6 GHz distributed amplifier with GaAs MESFETs". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 21(2), 159-169.