Browsing by Author "Ahmetoğlu, Muhitdin"

Now showing 1 - 20 of 29

A new prospect to measure the built-in potential for photodiodes
(Elsevier, 2023-12-01) Hacıismailoğlu, M. Cüneyt; Ahmetoğlu, Muhitdin; HACIİSMAİLOĞLU, MUHAMMED CÜNEYT; AHMETOĞLU, MUHİTDİN; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü; 0000-0002-0781-3376; KDM-6805-2024; K-7950-2012
We present a novel approach to determine the built-in potential for photodiodes, which depends on the excitation of the photodiode by a pulsed or modulated light under forward bias. The proposed method was tested for commercially available photodiodes and the measurement results were compared with the values, which were obtained by conventional current-voltage and capacitance-voltage measurements. It was found that the proposed method gave consistent results with current-voltage and capacitance-voltage measurements. For the confirmation of the accuracy of this method, temperature dependent measurements were also performed for Si photodiode in a temperature range of 298 - 333 K to compare the obtained built-in potential values with theory. This analysis showed that the results of the proposed method were more reliable than the conventional measurements.
A novel self-powered filterless narrow-band near-infrared photodiode of Cu₂S/Si p+-p isotype heterojunction device with very low visible light noise
(Elsevier, 2022-07-08) Kaplan, Hüseyin Kaan; Akay, Sertan Kemal; Ahmetoğlu, Muhitdin; AKAY, SERTAN KEMAL; AHMETOĞLU, MUHİTDİN; KAPLAN, HÜSEYİN KAAN; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; GWV-7916-2022; R-7260-2016; KDM-6805-2024
This study aims to achieve a filterless, narrow-band, near-infrared photodiode based on a p(+)-Cu2S/p-Si isotype heterojunction device. The device is developed by depositing 60 nm thick Cu2S thin film on Si substrates from Copper Sulfide pieces via the Thermionic Vacuum Arc technique (TVA). The molecular structure of the thin film is analyzed by utilizing Raman and X-Ray photoelectron spectroscopy (XPS) and confirmed to be in the Cu2S phase. Moreover, the high hole concentration in Cu2S is correlated with XPS results. The photodiode exhibits a response climax centered at 1049 nm and a full-width at half-maximum (FWHM) value of 10(4 )nm. An outstanding responsivity value of 375 mA/W (at 0 V bias) is obtained at a peak wavelength of 1049 nm, which surpasses most filterless, narrow-band photodiodes. Furthermore, while operating at 0 V bias, the photodiode showed an excellent specific detectivity value of 4.17 x 10(11) Jones with a 1.7 x 10(3) on/off ratio (at 1049 nm, 11.47 mW/cm(2)), in addition to its high photocurrent stability and response speed (under 0.8 s). In light of these findings, this proof-of-concept device is a great candidate as a filterless, narrow-band, NIR self-powered photodiode.
Dar bantlı gainassb termofotovoltaik yapıların elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
(Uludağ Üniversitesi, 2017-08-21) Efendi, Banu Kucur; Ahmetoğlu, Muhitdin; Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
Termofotovoltaik (TPV) sistemler ısınmış bir kaynaktan yayınlanan infrared radyasyonu absorbe ederek fotovoltaik etki sayesinde elektrik enerjisi üretirler. Yasak bant genişliğinin mümkün olduğunca dar olması TPV sistemlerde kullanılacak olan TPV diyotlar için önemlidir. Dolayısıyla, yapılan çalışmalar III – V grubu bileşik yarıiletkenler ile bunların üç ve dört bileşenli alaşımlarına odaklanmış durumdadır. Dörtlü III – V grubu alaşımları hem yasak bant aralığının hem de örgü sabitinin kontrolünü mümkün kıldığından dolayı TPV diyotlar için önemlidir. Bu çalışmada ele aldığımız, GaSb altlık ile örgü uyumlu dört bileşenli GaInAsSb alaşımlar 0.5 eV kadar dar bir bant aralığı ile büyütülebilirler. Bu tez çalışmasında, GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb TPV hetero diyotların elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. Farklı aktif bölge çaplarına sahip benzer yapılı diyotların farklı sıcaklıklarda akım – gerilim karakteristikleri incelenerek karanlık akım mekanizmaları tespit edilmiştir. Farklı ışık yoğunluklarında fotoakım – gerilim karakteristikleri incelenen yapılardan 2 mm aktif bölge çaplı n-GaSb/n-GaInAsSb/p-GaAlAsSb TPV diyotun daha belirgin ışık duyarlılığının olduğu gözlenmiştir. Ayrıca, eklem temas potansiyeli değerinin tespit edilebilmesi için genel olarak kullanılan I–V ve C-V karakteristiklerine ek olarak ilk kez geliştirmiş olduğumuz optik deney düzeneği ile farklı fotodiyotların temas potansiyelleri ölçülmüş ve sonuçların literatürdeki değerler ile uyum sağladığı görülmüştür. İncelenen yapı için elde edilen sonuçlar göz önünde bulundurulduğunda n-GaSb/n-GaInAsSb/p-GaAlAsSb TPV diyotun TPV sistemler için kullanışlı ve geliştirilmeye açık olduğu kanaatine varılmıştır.
Determination of the parameters for the back-to-back switched Schottky barrier structures
(Elsevier, 2010-03) Ahmetoğlu, Muhitdin; Akay, Sertan Kemal; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; R-7260-2016; 15843273600; 24801954600
The Cr/n-GaAs/Cr and Ag/p-GaAs/Ag metal-semiconductor-metal (MSM) Schottky contacts have been fabricated by reactive radio frequency (RF) sputtering system. The current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of the devices have been investigated in the temperature range of 80-316 K for the back-to-back switched Schottky barrier contacts. These measurements establish that the room temperature barrier height determined from reverse branch of the current-voltage characteristics is close to the value obtained from capacitance-voltage measurements.
Doğrudan diyot lazer sistemi
(Bursa Uludağ Üniversitesi, 2022-02-24) Kars, Elif; Ahmetoğlu, Muhitdin; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Katıhal Fiziği Anabilim Dalı.
Günümüzde teknolojisinin gelişmesiyle birlikte lazerler malzemelerin işlenme, kesme, delme, kaynak, markalama gibi yüzey işlemlerinde kullanılmaktadır. Lazerler enerji yoğunluklarına göre yüksek ve düşük güçlü lazerler olarak sınıflandırılır. Doğrudan diyot lazerli sistemler fiber lazerlere göre operasyonel bakım maliyetlerini düşürme potansiyeline sahiptir. Bu tez çalışmasında 915 nm dalga boyunda 2 kW çıkış gücüne sahip doğrudan diyot metoduna uygun lazer sistemi üretimi gerçekleştirilmiştir. Üretim sürecinde; 915 nm dalga boyunda 200 W çıkış gücüne sahip 12 adet 135/155 μm çekirdek/kılıf çaplarında fiber kuplajlı pompa diyot ve bu diyotların fiberlerini birleştiren 600/660 μm çekirdek/kılıf çapında çıkış fiberi bulunan pompa diyot birleştirici kullanılmıştır. Deneysel ölçümlerin sonucunda sistem üzerinde kullanılan diyotların toplam gücü ve birleştirici çıkışındaki doğrudan diyot lazerin optik çıkış gücü ölçülmüştür. Bu deneysel veriler ışığında üretilen doğrudan diyot lazer sisteminde iletim verimi hesaplanmıştır. Çıkış lazeri ışın profili ölçer cihaz ile karakterize edilmiştir. Ölçümler sonucunda,2 kW optik güce sahip lazer sistemin sayısal açıklık (NA), BBP, spot size, ve M² verileri ölçülmüştür.
Electrical and optical characteristics of the InAs/InAs0.7Sb0.1P0.2 single heterojunction photodiodes for the spectral range 1.6-3.5 mu m
(Elsevier, 2012-01) Andreev, Igor A.; Kunitsyna, Ekaterina V.; Moiseev, Konstantin D.; Mikhailova, Maya P.; Yakovlev, Yu P.; Ahmetoğlu, Muhitdin; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 16021109400
The electrical end optical characteristics of InAs/InAs0.7Sb0.1P0.2 heterojunctions were studied. The dark current mechanisms in the heterostructures were investigated at several temperatures. The experimental results shows that, the low temperature region the tunneling mechanism of the current flow dominates in both, forward and reverse biases. At high temperatures region and in the range of voltage from 0.1 V to 1 V. the reverse current was defined by diffusion mechanism.
Electrical and optical properties of schottky diodes fabricated by electrodeposition of ni films on n-gaas
(Elsevier Science Sa, 2022-10-14) Haciismailoğlu, M. Cüneyt; Ahmetoğlu, Muhitdin; Haciismailoğlu, Murşide; Alper, Mursel; Batmaz, Tuğce; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Edebiyat Fakültesi/Psikoloji Bölümü.; 0000-0002-0781-3376; 0000-0001-5648-3230; AAH-9719-2021; KDM-6805-2024; K-7950-2012
In this paper, we report electrical and optical characteristics of the Schottky diodes fabricated by electrodepo-sition of nickel onto n-GaAs substrate from 0.125 M NiSO4 + 0.25 M H3BO3 + 0.25 M Na2SO4 solution. The electrodeposition was performed at room temperature and at -1.5 V vs. SCE. Electrical and optical properties were measured in the temperature range of 200-360 K. Dark and light current-voltage (I-V) characteristics were investigated. Ideality factor, n and zero-bias barrier height, phi b were calculated and found to be almost constant in this temperature range. For room temperature, these values were obtained as 1.05 and 0.70 eV, respectively. Illuminated I-V characteristics were also investigated and they showed that the fabricated device could operate in photovoltaic regime. Open-circuit voltage, Voc was found to be 0.24 V for the diode under 20 mW/cm2 illumination.
Electrical characteristics and temperature dependence of photovoltaic parameters of GaInAsSb based TPV diode
(Polish Acad Sciences Inst Physics, 2016-04) Andreev, Iereus Alexey; Kunitsyna, Ekaterina V.; Mikhailova, Maya P.; Yakovlev, Yury P.; Kucur, Banu; Ahmetoğlu, Muhitdin; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; CZA-5782-2022; CCC-9142-2022; 36903670200; 16021109400
In this paper, electrical characterization of low bandgap GaInAsSb based thermophotovoltaic (TPV) diodes were investigated, as well as the temperature dependence of photovoltaic parameters such as short circuit current (I-sc) and open circuit voltage (V-oc). Investigation of the dark current mechanisms of the structure was carried out at several temperatures. The effect of light intensity on current-voltage characteristics was also investigated.
The electrical characterization of electrodeposited Ni thin film on silicon: Schottky barrier diodes
(Natl Inst Optoelectronics, 2012) Tekgül, Atakan; Ahmetoğlu, Muhitdin; Alper, Mürsel; Kucur, Banu; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; AAG-8795-2021; 16021109400; 7005719283; 36903670200
A Ni/n-Si Schottky barrier diode was produced by electrodeposition technique from the electrolyte containing nickel ions under galvanostatic control. The deposition was carried out in a three-electrode cell at room temperature. The electrical characteristics of the Schottky diodes have been investigated using current-voltage (l-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. Ni/n-Si/AuSb diode current-voltage characteristics display low reverse bias leakage currents. The barrier height and ideality factor (n) were obtained 0.60 eV and 3.28 respectively. The high ideality factor value was attributed to oxide layer at the metal semiconductor interface.
The electrical properties of Au/P3HT/n-type Si schottky barrier diode
(American Scientific Publishers, 2016) Yasin, M.; Asimov, A.; Ahmetoğlu, Muhitdin; Kirsoy, Ahmet; Özer, Metin; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; CBY-1915-2022; CCC-9142-2022; FDX-3050-2022; DLI-3139-2022; 55849632800; 57060545500; 56716481600; 58389620900
We investigated the electrical properties of the Au/P3HT/n-Si Schottky diode. The ideality factor n and barrier height Phi(b0) values of the diode were found to be 3.40 and Phi(b0) = 0.71 eV, respectively. n ideality factor greater than unity indicates that the diode exhibits non-ideal current voltage behavior. This behavior results from the effect of series resistance and the presence of an interfacial layer. The values of the ideality factor, series resistance and barrier height obtained from Cheung and Norde method were compared, and it was seen that there was an agreement with each other. We obtained that the high frequency capacitance does not make an important contribution to the total capacitance. Also we have been determined barrier heights increasing with increasing frequency.
Electrical properties of GaAs-GaAlAs near infrared light emitting diodes
(Natl Inst Optoelectronics, 2012) Ahmetoğlu, Muhitdin; Kucur, Banu; Gücüyener, İsmet; Uludağ Üniversitesi/Fen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; Uludağ Üniversitesi/Teknik Bilimler Meslek Yüksekokulu/Mekatronik Programı Bölümü.; 16021109400; 36903670200; 15834767100
The electrical properties have been studied for GaAs/AlxGa1-xAs based infrared light emitting diode. The characteristics of the device have been analyzed and unusual feature of the device was observed. It operates as avalanche photodiode when it is reverse biased, while it operates as light emitting diode (LED) when it is forward biased.
Electrical properties of poly(ethylene glycol dimethacrylate-n-vinyl imidazole)/single walled carbon nanotubes/n-Si schottky diodes formed by surface polymerization of single walled carbon nanotubes
(Elsevier Science, 2012-01-01) Tekin, Nalan; Beyaz, Saadet; Koçkar, Hakan; Ahmetoğlu, Muhitdin; Kara, Ali; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Kimya Bölümü.; AAG-6271-2019; 16021109400; 7102824859
In this paper we report the electrical characteristics of the Schottky diodes formed by surface polymerization of the Poly(ethylene glycol dimethanylate-n-vinyl imidazole)/Single Walled Carbon Nanotubes on n-Si The Single Walled Carbon Nanotubes were synthesized by CVD method. The main electrical properties of the Poly(ethylene glycol dimethanylate-n-vinyl imidazole)/Single Walled Carbon Nanotubes/n-Si have been investigated through the barrier heights, the ideality factors and the impurity density distribution, by using current-voltage and reverse bias capacitance voltage characteristics. Electrical measurements were carried out at room temperature. Poly(ethylene glycol dimethacrylate-n-vinyl imidazole)/Single Walled Carbon Nanotubes/n-Si Schottky diode current-voltage characteristics display low reverse-bias leakage currents and average barrier heights of 0.61 +/- 0.02 eV and 0.72 +/- 0.02 eV obtained from both current-voltage and capacitance-voltage measurements at room temperature, respectively.
Electrical transport at a isotype type II heterojunctions in the system of GaSb-GaInAsSb
(Elsevier, 2008-01-30) Ahmetoğlu, Muhitdin; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 23093032800
Current flow mechanisms have been studied for liquid phase epitaxy grown isotype heterostructures lattice-matched to GaSb substrates. The dark current mechanisms in the N-n isotype heterostructures were investigated in detail at several temperatures. It is shown that both the type II staggered and misaligned heterojunctions can behave as Schottky diodes and the dark current-voltage characteristics of this isotype heterostructures were rectifying over the whole temperature range 90-300 K. These measurements establish that the reverse current in both (staggered and misaligned) investigated structures are determined mainly by tunneling mechanism. The theoretical relations for reverse dark current in staggered lineup isotype heterostructures have been developed.
Electron-hole interaction in spherical quantum dots of nanoheterostructures
(Natl Inst Optoelectronics, 2009-03) Boymatov, P.; Inoyatov, Sh T.; Ahmedov, O. M.; Rahimov, N.; Pulatov, A.; Ahmetoğlu, Muhitdin; Akay, Sertan Kemal; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; R-7260-2016; 16021109400; 24801954600
The main states of electron and hole in spherically semiconductor quantum-dot are studied. The wave function of the system is optimized by variation of effective radii of electron and hole orbits. The main state and Coulomb energy as function of quantum-dot radius are calculated.
Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan n-Si/Cu, p-Si/Cu Schottky diyotlarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi
(Uludağ Üniversitesi, 2008) Gürpınar, Burcu; Ahmetoğlu, Muhitdin; Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
Bu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal – yarıiletken Schottky bariyer diyotlar incelenmiştir. Schottky bariyer diyot, n-Si ve p-Si üzerine elektrodepozisyon yöntemi kullanılarak Cu depozite edilmesiyle oluşturulmuştur. Her iki durumdada oluşan Schottky diyoda ait akım-gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)’nın V’ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) hesaplanmıştır. I – V ölçümlerinin yanı sıra birde C – V ölçümleri alınmıştır. Ayrıca Cu filmi sabit akım modu kullanılarak n-tipi Si(100) üzerine elektrodepozit edilmiştir. Cu/n-Si’a ait elektriksel özellikler birkaç farklı sıcaklıkta incelenmiştir.
Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan ni/n-gaas schottky diyotlarının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
(Bursa Uludağ Üniversitesi, 2020-02-20) Batmaz, Tuğçe; Ahmetoğlu, Muhitdin; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.; 0000-0002-5647-4366
Metal ve yarıiletken kombinasyonları son yıllarda bilim dünyası için önemli optoelektronik ve elektronik cihaz uygulamalarıdır. Özellikle toprak elementlerinin (Fe, Ni, Co) yarıiletkenlerle kombinasyonu ile üretilen Schottky Bariyer kontaklar optik dedektörleri, güneş pilleri ve kimyasal sensörlerin temelidir. GaAs en popüler yarıiletken malzemelerden biridir. Aynı zamanda elektrodepozisyon yöntemi, yüksek verimi ve düşük maliyeti nedeniyle kaplama yönteminde tercih edilmesinin sebebidir. Bu araştırmada metal-yarıiletken Schottky diyodun elektriksel ve optik özellikleri araştırılmıştır. Schottky diyot, nikelin elektrodepozisyon yöntemi ile n-GaAs üzerine kaplanması oluşturulmuştur. İdealite faktörü ve bariyer yüksekliği, oda sıcaklığında akım-gerilim ölçümlerinden hesaplanmıştır. Hafif volt-akım karakteristikleri incelenmiştir. Örneklerin akım-voltaj özellikleri farklı dalga boyu lazer ışınlarıyla aydınlatılarak incelenmiştir. Yapının spektral fotoetki ölçümleri oda sıcaklığında gerçekleştirilmiştir. Bu, fabrikasyon yapının optoelektronik cihaz uygulamaları için iyi bir aday olmasını sağlayan davranışlar sergilediği gösterilmiştir.
GaAs yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulan yapının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
(Uludağ Üniversitesi, 2015) Kırsoy, Ahmet; Ahmetoğlu, Muhitdin; Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
Bu çalışmada n-GaAs yarıiletkeni üzerine P3HT poly(3-hexylthiophene), MEH-PPV poly [2-methoxy-5-(2′-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene] iletken polimerleri, fulleren türevi PCBM [6,6]-phenyl-61C-butric acid methyl ester) ve GO (Graphene oxide) iletken materyalleri kaplanarak Schottky engel diyotları üretilmiştir. Çalışmada kullanılan bu iletken organik materyaller (P3HT, MEH-PPV, PCBM, GO), elektronik dünyasında Schottky diyotlar, organik ledler, transistörler, biyosensörler, fotosensörler, fotovoltaik ve güneş pili uygulamaları gibi çok geniş bir kullanım alanına sahiptir. Üretilen diyotların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçüm metotları kullanılarak incelenmiştir. Bütün ölçümler oda sıcaklığında gerçekleştirilmiştir. Diyot parametreleri çeşitli yöntemlerle hesaplanarak karşılaştırılmıştır. Polimer kullanarak Au/n-GaAs/Au geleneksel Schottky diyodunun elektriksel özelliklerinin kontrol edilebileceği görülmüştür. Au/n-GaAs/GO/Au diyodunun frekansa bağlı C-V ve G/ω-V ölçümleri oda sıcaklığında 10 kHz-1MHz frekans aralığında gerçekleştirilmiştir. C-V ölçümlerinden artan voltajla birlikte her bir frekans için kapasitansın negatif değerler aldığı gözlenmiştir. Literatürde bu durum negatif kapasitans (NC) olarak bilinir. NC özellikle düşük frekanslarda daha dikkat çekici olup, kapasite değerlerinin mutlak değerinin frekansın düşmesiyle arttığı gözlenmiştir. Seri direnç Rs değerleri de NC'nin gözlendiği yığılma bölgesinde düşük frekanslar için yüksek olup, frekansın artmasıyla düştüğü gözlenmiştir. G/ω-V ölçümlerinden de doğal olarak seri direncin tersine bu bölge için frekansın artmasıyla iletkenlik değerlerinin arttığı gözlenmiştir. Diyodun NC karakteristiği iyonizasyon nedeniyle Fermi seviyesinin altındaki dolu durumlarda meydana gelen ara yüzey yük kaybından kaynaklandığı düşünülebilir. Aynı zamanda NC'ye özellikle düşük frekanslarda meydana gelen polarizasyondaki artış ve yapıya daha fazla taşıyıcı girişi atfedilebilir. Üretilen Au/n-GaAs/GO/Au diyodunun I-V ölçümlerinden ışığa duyarlı olduğu tespit edilmiş olup bu yapının fotosensör olarak kullanılabileceği değerlendirilmektedir.
GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi
(Uludağ Üniversitesi, 2011) Kucur, Banu; Ahmetoğlu, Muhitdin; Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
Yarıiletken malzemeler ve bu malzemelerden üretilen doğrultucu, laser, transistör, ışık yayan diyot (LED), fotodetektör gibi araç ve gereçler, elektronik, bilgisayar teknolojisi, nanoteknoloji, askeri savunma sanayi, optik iletişim sistemleri gibi pek çok alanda yaygın olarak kullanılmaktadır. Son yıllarda, kızılötesi (infrared) bölgede çalışan yüksek verimli ışık kaynakları ve fotoalıcılar, ayrıca bunların imal edilmesi için gereken yarıiletken malzemelerin incelenmesi güncel bir konu haline gelmiştir. Söz konusu spektrum bölgesinde çalışan optoelektronik düzeneklerin imal edilmesi için GaSb ve InAs gibi taban malzemeler ile örgü sabitleri uyumlu olan GaInAsSb, GaAlAsSb, InAsSbP gibi dört bileşenli katı çözeltiler uygun malzemeler olarak görülmektedirler.Bu çalışmada kızılötesi bölgede çalışan GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb çift heteroyapı numunesinin elektrik özellikleri incelenmiştir. C-V ve I-V ölçümlerinin yanı sıra hesaplanan ideal faktör ve aktivasyon enerjisi değerlerinden de faydalanılarak farklı sıcaklıklardaki karanlık akım mekanizmaları yorumlanmıştır.
Lazer ışığının teorik ve deneysel olarak karakterizasyonu ile otomatik odak noktası belirleme
(Bursa Uludağ Üniversitesi, 2021-08-02) Atakan, Aydoğan; Ahmetoğlu, Muhitdin; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Optik ve Fotonik Mühendisliği Anabilim Dalı.; 0000-0002-6011-2077
Son yıllarda ve endüstri 4.0 platformu ile birlikte , yüksek güçlü lazerlerin kaynak, düzeltme, kazıma, kesme gibi malzeme işleme için bir araç olarak kullanımında önemli bir gelişme olmuştur. Gauss ışın yardımıyla malzeme üzeri eritelerek malzeme şekillendirme işlemi gerçekleştirilmektedir. Bir ısı kaynağı olarak kullanılabilen Gauss lazer ışını, içinden lazer ışınının geçtiği ve arkasından lensin odak noktası etrafında minimum bir ışın demetine yakınsadığı bir lens tarafından odaklanır. Merceğin odak noktasındaki bu yoğunlaşmış enerji ile bilinen herhangi bir materyali ısıtmak, eritmek ve buharlaştırmak mümkündür. Lazer malzeme işleme alanındaki araştırmalar, faz değişimi olan ve olmayan durumları ortaya koymuş ve çeşitli ışınlama veya kaynak koşulları hem teorik hem de deneysel olarak incelenmiştir. Bu bağlamda termal kesim yöntemleri iki kategoride incelenebilir: Bunlar (1) ısıl işleme ve (2) frekans değişimiyle malzeme üzerinde buharlaştırma metoduna bağlı olarak incelenebilir. Bu çalışmada endüstriyel bir kesim kafası yardımıyla CW yani sürekli bir lazer kaynağı ile ideal kalitede malzeme kesim yöntemleri üzerine çalışılmaktadır. Lens odak noktasının yüzeyin üstünde veya altında olma durumuna göre , minimum ışın yarıçapı ve ışın sapma oranı gibi odaklanma parametrelerinin etkisi araştırılmaktadır. Bu araştırmalar neticesinde elde edilen karakterize edilmiş ışın filtrelenip otomatik odak bulucu sistemi geliştirilmiştir. Belirlenen odak değerleri otomatik olarak lazer kesim sistemine uygulanabilir özelliktedir.
N-GaAs ve n-Si yarıiletkenler üzerinde yüzey polimerizasyon yöntemiyle elde edilmiş olan P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT] filmlerinin oluşturduğu fotodiyot yapıların elektrik ve optik özellikleri
(Bursa Uludağ Üniversitesi, 2019-07-01) Kirezli, Burcu; Ahmetoğlu, Muhitdin; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
Son yıllarda Schottky bariyer diyotlarında büyük bir araştırma ve geliştirme çalışması canlandı. Bu aktivite, yarıiletken teknolojisindeki metalle temasların önemi ile büyük ölçüde esinlenmiştir. Yarıiletken üzerinde ince bir polimer tabakanın varlığı metal/yarıiletken Schottky yapılarda önemli rol oynadığı bilinmektedir. İletken polimerlerin elektriksel ve optik özellikleri, teknolojik açıdan çok önemlidir. Bu çalışmada, ilk olarak yüzey polimerizasyon tekniği ile n-Si ve n-GaAs üzerine ince polimer film kaplanarak, P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT]/n-GaAs ve P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT]/n-Si fotodiyot yapıları elde edilmiştir. Bu iki fotodiyotun elektriksel özellikleri farklı sıcaklıklarda elektrik özellikleri incelenmiştir. Farklı dalga boyunda lazer ışınları ile aydınlatılarak numunelerin akım–voltaj karakteristikleri incelenmiştir. Spektral duyarlılık ölçümleri, Oriel Cornerstone 260 VIS-NIR Monokromatör sistemi kullanılarak elde edilmiştir. İncelenmiş olan yapıların VIS (Görünür) ve NIR (Yakın Kızılötesi) fotodetektör uygulamaları için iyi bir aday olduğu görülmüştür.